はい。多くの組み込み（産業）用SSDは「BOM固定」で御座います。ご評価頂いたBOM構成の製品を継続的にご購入可能です。ご安心下さい。

はい。通常温度品と温度拡張品を用意しております。温度拡張品は-40℃～∔85℃までの厳しい温度範囲での動作保証製品です。近年、産業用途のお客様より多くの引き合いを頂いております。

メーカーや製品によって様々ですが、個人消費者様向け製品と比較すると長期供給可能です。

用途によっては対応可能なメーカー及び製品が御座います。

製品サンプル依頼を受け付けています。
土日祝日と休業日を除く9：00～17：00であれば、電話での受け付けも行っています。

SSD（ソリッド・ステート・ドライブ）とは、以下の2つの条件を満たした記憶装置のことです。

• NANDフラッシュメモリーが記録媒体であること
• SATAやmSATA、M.2といった接続方式を採用していること

NANDフラッシュメモリーは、半導体を用いて電子的にデータの読み書きを行う記憶装置を指します。代表的なものは、USBメモリーやSDカードなどです。
SATAやmSATAはHDDにも使われているケーブル型の接続方式です。
SSDをマザーボードのスロットに直接差し込む接続方式をM.2と言います。
最近では、半導体技術の進展によってSSDの小型化が進み、モバイル機器やパソコンに搭載されているHDDとの置き換えが進んでいます。
OSの動作やソフトの起動などが速くなることから、SSDの需要は高まっているのです。

SSDの内部は、主に以下の部品で構成されています。

• 複数のNANDフラッシュメモリー
• SSDコントローラー
• キャッシュメモリー

SSDはコントローラーによって、制御されたデータを複数のNANDフラッシュメモリーに分散して保存を行います。データの保存や書き換えなどがスムーズにできるよう、一時的なデータや管理情報はキャッシュメモリーに保存。全ての処理が電気的に行われており、物理的に動くものはありません。

SSDには主に5種類の規格があり、接続方式などが異なります。それぞれの違いを以下の表にまとめましたので、ご覧ください。
規格　　　：接続方式
1.8インチ：主にMicroSATA
2.5インチ：主にSATA
mSATA　：MiniSATA
M.2　　　：SATAまたはPCIe
U.2　　　：PCIe

接続方式（インターフェース）は、SATAとPCIeの2方式があります。M.2 SSDには、以下のような使用時の注意点があります。
１．複数のサイズがある
M.2 SSDには、主に3つのサイズがあります。

• 幅22mm×長さ80mm
• 幅22mm×長さ42mm
• 幅22mm×長さ30mm

２．熱により処理能力が落ちることもある
高速のデータ処理をするためにPCIe接続のM.2を導入するなら、発熱対策が重要です。
発熱によって処理速度が落ちることがあり、最悪故障する場合もあるからです。
マザーボードには、スロットにヒートシンクと呼ばれる排熱装置が設置されているものといない物があります。
マザーボードにヒートシンクがない場合は、必ず後付けのものを設置してください。
ヒートシンクがないと2分程で温度が70℃以上になり、処理速度が落ちてしまいます。その後、温度が下がると速度は元に戻りますが、上げ下げを繰り返すので規定の性能を発揮することができません。
M.2の性能を最大限に活かして、データを処理するなら、発熱対策を十分考慮しましょう。

HDD（ハードディスクドライブ）は、1956年に計算機の外部記憶装置として誕生しました。
その装置は、24インチの円板を50枚積み重ね、大きさは自動販売機の1.5倍ほどもありました。
その後、14インチの円板のHDDが使われてきましたが、20年余り前でも、質量は65Kgもありました。
1970年の中ごろからHDDのインターフェースの標準化が行われてきました。8インチのHDDで使われたインターフェースがSMD (Storage Module Device)です。
これは60pinのAケーブルと20pinのBケーブルで構成されており、データ転送速度は3MB/secでした。
1980年代半ばには、3.5インチのHDDが登場し、デスクトップ型のPCに搭載され、1990年代に入ると2.5インチのHDDがノートブック型のPCに使われて、一層の『小型化・省資源化』が進みました。
1990年代にはいると、メインフレーム用のHDDも“9.5インチ” 、“6.5インチ”、更には、3.5インチへと小型化が図られてきました。
その後も2.5インチ, 1インチ, 1.8インチの小型化が図られましたが、現在では3.5インチと2.5インチタイプのみになっています。

HDDは、主に以下の部品で構成されています。

• 磁気ディスク
• 磁気ヘッド
• HDDコントローラー
• キャッシュメモリー

SATAとSASがあります。SATAはSerialATA 、そして、SASはSerial Attached SCSIの略称になります。
SATAは最大6Gbpsの転送速度で、SASは最大12Gbpsの転送速度になります。
通常のパソコンではSATAが使われていますが、業務用サーバなどでは信頼性が高いSASが使われているケースがあります。

HDDの書き込み方式は、CMRとSMRの2種類があります。
CMRはConventional Magnetic Recording、SMRはShingled Magnetic Recordingの略称です。
CMRは従来からの書き込み方式で、データトラックに隙間を空けて書き込みます。
SMRは屋根瓦のようにトラックの一部を重ねている書き込み方式で、トラック幅を狭くすることで記録密度を上げることができます。

1セクタに保存される容量のことをセクタサイズといいます。
セクタサイズはハードディスクにおいて512バイトが主流でしたが、2011年頃から4Kバイトモデルが登場し始めました。
現行のHDDでは、512セクタ(512n)と、4Kセクタ(4Kn)の製品があります。
また、物理的には4Kセクタですが、エミュレーションを行うことで論理上512セクタとして使える、Advanced Format （512e）という製品もあります。512n、512e、4Knと表示して区別されています。

Western Digital社HDDのラインナップは、用途別に最適化されており、それぞれの用途は、以下の通りです。
WD Blue™, WD Black™：一般的なPC向け
WD Ultrastar®：サーバーやストレージ向け
WD RED™ (WD Red, WD Red Plus, Red Pro)：NAS向け
Connected Home：AV用途向け
WD Purple™ (WD Purple, WD Purple Pro)：監視用途向け

精密機器のため、静電気、水、衝撃を避けてください。

フォーマットはされていないため、使用するOSに合わせてNTFS、APFS、ext4等でフォーマットを行ってください。

HDDメーカーでは　1000 KB = 1 MB　とするのに対し、Windows等では　1024 KB = 1 MB　とします。そのため、フォーマット後はOS上では少なく表示されます。

HDDはディスクが回転するため自己振動が発生します。振動の影響を受けるとヘッドの位置決めを正常に行えなくなります。
自己振動を抑えるため4点ねじ止めを推奨します。
また、衝撃を防ぐためにスポンジの上に置いて使用すると自己振動の影響を受けるのでご注意ください。

弊社ではデータ復旧サービスは行っておりません。専門の業者にお問い合わせください。

eMMCは、家庭用電化製品、携帯電話、ナビゲーションシステム、およびその他の産業用途の幅広いアプリケーション向けに設計された、フラッシュメモリとフラッシュメモリコントローラで構成される組み込み系不揮発性メモリシステムです。

eMMCは、JEDECで規格化されており、Interface規格の最新Versionは5.1（JESD84-B51A）となっています。最大転送速度は、400 MB/sec (HS400)となっています。

MMCとはMulti Media Cardの略でメモリカード規格の一つです。フラッシュメモリを使用したカードタイプの記憶装置です。
eMMCとはembedded Multi Media Cardの略で、機器に組み込むための記憶装置です。
取り外しが自由なMMCと異なり、eMMCはBGAパッケージを採用しているため機器に実装後の取り外しは困難になります。

NANDフラッシュ単体のRaw NANDでは、ECC訂正、ウェアレベリング、ブロック管理、コマンド管理、などの機能は全て専用のコントローラを使用し管理する必要があるため、使いこなす為の技術力やノウハウが必要ですが、eMMCでは、これらの機能を内臓されたコントローラー自身が管理していることから、ユーザーはこれらの機能を管理する必要が無く、機器への導入が容易です。

eMMCに採用されているNANDメモリには書き換え回数に寿命があり、書き換え回数の寿命は製品グレードの違いにより数百回～数万回レベルの差があります。
また、お客様の機器がどのようにeMMCにアクセスするかなどによって、寿命を迎えるまでの時間は異なりますので、お客様の使用条件に合わせた、メモリ容量、製品グレードをご検討ください。

UFSは、スマートフォンやタブレットなどのモバイル製品や自動車アプリケーションなど、電力消費を最小限に抑える必要があるアプリケーション向けに設計された、高性能インターフェースです。

UFSは、JEDECで規格化されており、最新Versionは3.1（JESD220E）となっています。

UFSとはUniversal Flash Storageの略で、リムーバブルストレージと組込型ストレージの両方に使えるフラッシュメモリーのバスの規格として策定されました。UFSは、eMMCとほぼ同じ大きさや消費電力で且つSSD並みの転送速度を有するといった点が大きな特徴です。

主な違いは転送速度です。eMMCの最新規格はVersion 5.1（JESD84-B51A）で最大転送速度は400 MB/sec (HS400)ですが、UFSの最新規格はVersion 3.1（JESD220E）で最大転送速度は2900 MB/s（2-lane）です。

弊社は企業のお客様のみの販売とさせて頂いております。製品に関するご質問についても、販売させて頂いている企業のお客様か、これからご購入される企業のお客様のみの対応とさせて頂いております。

お問い合わせフォームよりお問い合わせくださいますようお願いいたします。

弊社の在庫状況やメーカーの供給状況により変動いたしますので、お問い合わせフォームよりお問い合わせくださいますようお願いいたします。

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標準サイズのカードで、縦32mm、横24mm、厚さ2.1mmのメモリーカードです。デジタルカメラをはじめ、さまざまな機器に使用されています。

標準サイズのSDカードの1/4ほどの大きさに小型化されたメモリーカードです。縦15mm、横11mm、厚さ1.0mmで、スマートフォンやゲーム機など小型デバイスに多く使用されています。

一般的なSDカードの製造方法は、NANDメモリーとコントローラを基板の上に別々に半田付けで作られています（サーフィス・マウント・テクノロジー：SMT技術）。
衝撃に強い構造としては、NANDメモリーとコントローラを最新テクノロジーでワンチップ化（システム・イン・パッケージ：SIP技術）することにより、機械的強度が向上します。

SDカード/microSDカードは、記憶できるデータ容量による種別もあります。 SD、SDHC、SDXC、SDUCと、新たな規格が誕生するごとに容量は増加しており、超容量（英語でUltra Capacity）を意味する最新の「SDUC」では最大128 TBに対応しています。

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スピードクラスには、Class2, Class4, Class6, Class10があり、Cのなかに「2、4、6、10」の文字が入った記号で表されています。
データ書き込みの最低保証速度を表す記号で、それぞれの数字は2MB/秒、4MB/秒、6MB/秒、10MB/秒を表しています。Class10製品は、ハイスピードバスに対応した機器が必要です。

UHSスピードクラスには、U1, U3があり、Uのなかに「1,3」の文字が入った記号で、UHSバスインターフェイス製品向けの速度規格を表しています。
数字はデータ書き込みの最低保証速度を表し、「UHSスピードクラス1」は10MB/秒、「UHSスピードクラス3」は30MB/秒です。

ビデオスピードクラスには、V6, V10, V30, V60, V90があり、Vの字に「6、10、30、60、90」の数字を組み合わせた記号で表されます。
上記2規格と同様に、データ書き込みの最低保証速度を表す記号で、4K・8Kなどの高画質映像の記録に対応するため策定された規格です。
それぞれの数字は、6MB/秒、10MB/秒、30MB/秒、60MB/秒、90MB/秒を表しています。
V6とV10はハイスピードおよびUHSバスインターフェイス、V30はUHSバスインターフェイス、V60とV90はUHS-IIおよびUHS-IIIバスインターフェイスに対応した機器が必要です。

SDカード / microSDカードでは、メモリーカードと機器間のデータ書き込み速度を表す規格が「ノーマルスピード」「ハイスピード」「UHS-I」「UHS-II」「UHS-III」の5つの種別に分けられています。
このうち、新しく追加された「UHS(Ultra High Speedの略)」は、大容量データ転送に対応するための規格で、ラベルではローマ数字の「I、II、III」などの記号で表されています。
理論値で、UHS-Iは最大104MB/秒、UHS-IIは最大312MB/秒、UHS-IIIは最大624MB/秒に対応しています。

SD Expressは2018年に策定されたデータ書き込み速度を表す新たな規格で、ラベルではEXPRESS（省略表記でEX）と書かれています。
最大3940MB/秒のデータ転送速度を実現します。

スマートフォン等のアプリ活用を快適にするため、ランダム読込・書込とシーケンシャルの最低処理速度を定めた規格です。
「A1、A2」の2種の規格があり、それぞれ下記表のように最低処理速度が定められています。
アプリケーションパフォーマンスクラスランダム読み込み最低処理速度ランダム書き込み最低処理速度シーケンシャル最低処理速度クラス1 (A1)1500 IOPS500 IOPS10 MB/secクラス2 (A2)4000 IOPS2000 IOPS10 MB/sec

ストレージメディアであるeMMC, UFS, SSD, SDカード/microSDカードに採用されているNAND型フラッシュメモリが採用されており、NANDとは電源オフの状態でもデータを保存が可能な不揮発性フラッシュメモリのことを指します。
現状は大きく分けて以下に分類されます。データ保存は、「セル」と呼ばれる部分にデータを保存していて、セルに保存可能なビット(電荷)数からSLC、MLC、TLC、QLCの4種類に分けることができます。
SLC: Single Level Cell　Cellあたり1ビットの情報を保存(0, 1)
MLC: Multi Level Cell　Cellあたり2ビットの情報を保存(00, 01, 10, 11)
TLC: Triple Level Cell　Cellあたり3ビットの情報を保存(000, 001, 010, 011. 100, 101, 110, 111)
QLC: Quad Level Cell　Cellあたり4ビットの情報を保存 (0000, 0001, 0010, 0011, 0100, 0101, 0110, 0111, 1000, 1001, 1010, 1011, 1100, 1101, 1110, 1111)

その他に、pSLC(pseudo-SLC　疑似SLC)というものもあり、MLCやTLCを疑似SLCモード(1つのセルに1ビットの情報を保存)で使用することで、標準MLC/TLCより耐久性と書き込み性能をを向上させる方法。

Write Amplification Factor の頭文字を取り「書き込み増幅率」のことです。
WAFは、Hostから書き込まれるデータ量と、実際にNANDメモリに書き込まれるデータ量の比率です。

• WAFの値は小さいほうが良く、理想値は「1」です。
• WAF≧1の場合は、Hostから書き込まれるデータ量よりも多くのデータ量がNANDメモリに書き込まれてしまうことになります。
• NANDメモリには書き込み回数（書き込み量）に制限があるため、WAF=2のシステムはWAF=1のシステムと比較して2倍のデータ量をNANDメモリに書き込みしてしまうことになり、Hostから書き込み出来るデータ量は半分になってしまいます。
• WAFを下げることでHostがNANDメモリに書き込めるデータ量を増加させることが出来ます。

NANDフラッシュメモリには書込み回数の上限（寿命）が存在します。
NANDフラッシュメモリは複数のブロックという単位で構成されていますが、書込みが集中するブロックが存在した場合、そのブロックが劣化／破損することで、データ消失や製品故障の可能性が高くなります。
このような状況を回避するために、NANDフラッシュメモリ全体に書込みを分散し、各ブロックの書込み回数を均一化する機能をウェアレベリングと呼びます。

NANDメモリへのデータの書き込みするには？
・書き込みはページ単位で行う必要がある（消去はブロック単位）
・古い無効なデータが存在している領域には書き込みが出来ない
・書き込む領域が消去された状態である必要がある
⇒　NANDメモリは上書きが出来ないデバイスのため消去された領域が必要

消去状態領域の確保の為に無効なデータを消去して書き込める領域を増やすプロセスが、「ガベージコレクション(Garbage Collection)」です

フラッシュメモリへのデータ書き込みは(Program/Write)は、フローティングゲート(FG)やチャージトラップ層と呼ばれる電荷蓄積層に電子を注入することで行います。
あるメモリセル「A」にデータ書き込みを行う場合は、例えば書き込み対象のメモリセルに接続されたワード線にVwl=20[V]、同じブロック内の他ワード線にVpass＝10[V](パス電圧)を、メモリセル[A]が接続されたビット線には0[V]、同じブロック内の他ビット線に3.3[V] (Vcc)を印加します。
この時、Fig.2に赤四角、青四角で示す書き込み非対象のメモリセルでもFGとチャネル間の電位差が大きくなることから、誤書き込みが生じる恐れがあります。
これが「プログラム・ディスターブ／パス・ディスターブ」と呼ばれる現象です。

あるメモリセル「A」のデータが繰り返し読み出された場合、同じブロック内に存在する他メモリセルのワード線には~5[V]が繰り返し印加されることで、基板から電荷蓄積層に電荷注入されメモリ セルの閾値電圧が徐々に上昇する現象が発生します。
この現象が継続的に発生した場合、消去状態「1」であったメモリセルの閾値電圧が徐々に上昇し書込み状態「0」となってしまう現象が「リードディスターブ」と呼ばれる現象です。

上記のリードディスターブによるデータの損失や、一度書き込みを行ってからずっと上書きが行われずにデータの保持が出来なくなることを防ぐための機能です。ホストからアクセスがないときに自動で内部のデータの更新を行い、正常なデータに戻します。

SSDやSDカード、microSDカードなどの耐久性を示す用語として、「TBW」が使われます。意味を知っておくと、交換時期の目安がわかって便利です。
TBWは、SSDにどれだけの書き込みができるかを表した数値です。SSDの容量とは別に耐久性を示す指標であり、とある容量500GBの製品の場合は、300TBに設定されています。つまり、総書き込み量が300TB分を超えないと壊れないことを意味します。

精密機器のため、静電気、水、衝撃を避けてください。

JBODとは、「Just a Bunch Of Disks」の頭文字を採った略称でディスクアレイの一種です。
数台から数10台のHDDを1つの筐体内に実装しています。使用方法としては、サーバーのSAS RAIDカードやSASインターフェースカードに接続して使用します。

JBOFとは、「Just a Bunch Of Flash」の頭文字を採った略称でディスクアレイの一種です。
数台から数10台のSSDを1つの筐体内に実装しています。使用方法としては、サーバーのSAS RAIDカードやSASインターフェースカード、NVMe-OFインターフェースに接続して使用します。
JBODとの違いは、筐体内に搭載されているストレージがSSDになっていることです。

RAIDとは、Redundant Array of Inexpensive Disksの頭文字を略した用語で「レイド」と読みます。要は複数のドライブを1つのドライブのように認識させたり表示させたりする技術のことです。
RAIDのメリットは、ドライブ故障から復旧できたり、高速保存ができることです。RAIDの種類には主にRAID 0, 1, 5, 6の4タイプが使用されており、それらを組み合わせたRAID10や50などもあります。
・RAID 0：ストライピングと呼ばれ、書き込み、読み込みデータを同時に複数のHDDで行うことで高速化できますが、冗長性はありません。
・RAID 1：ミラーリングと呼ばれ、同じデータを2台のHDDに書き込むことで、１台故障してもデータを保護できます。
・RAID 5：データを分散して3台以上のドライブに書き込みながら、ドライブの障害発生時に備えてデータ復元用の符号「パリティ」を生成するRAID方式の１つで、RAID 5ではHDD 1台分の容量の「パリティ」を常に付加して保存します。HDDが１台故障してもデータを保護し、継続利用できます。
・RAID 6：RAID 5と同じく、「パリティ」を生成するRAID方式の1つで、RAID 6ではHDD 2台分の容量の「パリティ」を常に付加して保存します。冗長性はRAID 5よりも高いですが、容量効率や書き込み性能はRAID 5より低くなります。

各製品ページに御座います「資料ダウンロード（無料）」よりダウンロード出来ます。

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