フラッシュメモリへのデータ書き込みは(Program/Write)は、フローティングゲート(FG)やチャージトラップ層と呼ばれる電荷蓄積層に電子を注入することで行います。
あるメモリセル「A」にデータ書き込みを行う場合は、例えば書き込み対象のメモリセルに接続されたワード線にVwl=20[V]、同じブロック内の他ワード線にVpass＝10[V](パス電圧)を、メモリセル[A]が接続されたビット線には0[V]、同じブロック内の他ビット線に3.3[V] (Vcc)を印加します。
この時、Fig.2に赤四角、青四角で示す書き込み非対象のメモリセルでもFGとチャネル間の電位差が大きくなることから、誤書き込みが生じる恐れがあります。
これが「プログラム・ディスターブ／パス・ディスターブ」と呼ばれる現象です。