あるメモリセル「A」のデータが繰り返し読み出された場合、同じブロック内に存在する他メモリセルのワード線には~5[V]が繰り返し印加されることで、基板から電荷蓄積層に電荷注入されメモリ セルの閾値電圧が徐々に上昇する現象が発生します。
この現象が継続的に発生した場合、消去状態「1」であったメモリセルの閾値電圧が徐々に上昇し書込み状態「0」となってしまう現象が「リードディスターブ」と呼ばれる現象です。